Without doping,plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) of silica films on Si substrates with gas mixtures of SiH_4 and N_2O is considered.

　
英 美
  • 以硅烷和氧化二氮作為反應氣體,采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù),不使用摻雜,在單晶硅襯底上制備了用于平面光波導的二氧化硅薄膜。
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