While the (110)-texture PZT film with a large number of 90O ferroelectric domains occurance was believed not to meet the NVFRAM devices demands due to the ferroelectirc fatigue pinned by 90O domain wall.

 
  • 而在(110)取向的PZT 薄膜中觀(guān)察到大量明暗交錯的90O電疇。 由于90O電疇中疇壁處的“釘扎”效應會(huì )導致強烈的鐵電疲勞性,(110)取向的PZT 薄膜不易用于鐵電器件的制備。
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