We have successfully fabricated and investigated GaAs-based heterostructure field-effect transistors (HFETs) with dilute InGaAsN/InGaAsNSb/InGaAsSb channel layers, respecti....

 
  • 蘇科化;微電子工程研究所碩博士班;國立成功大學(xué);博士;2008-07-21
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