We have grown PbTe films on Si(111) and Si (100) substrates by using Hot Wall Epitaxy (HWE) technology.

 
  • 我們采用熱壁外延(Hot Wall Epitaxy,縮寫(xiě)為HWE)技術(shù),在Si(111)和Si(100)襯底上外延生長(cháng)PbTe薄膜。
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