We find a reduction in TD density in GaN films grown on graded AlxGa1-xN buffer layers, in comparison with those grown directly on a thin AlN buffer layer.

 
  • 與那些直接生長(cháng)在A(yíng)lN薄膜上的GaN薄膜相比,生長(cháng)在組分漸變的AlxGa1-xN 緩沖層上的GaN薄膜內具有更少的螺位錯密度。
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