This thesis reports an analysis of DC and AC behavior of dual-material (DM) double-gate (DG) fully-depleted (FD) silicon on insulator (SOI) MOS device.

 
  • 摘要:本論文中提出雙材料雙閘完全解離絕緣體上矽金氧半元件在直流與交流的分析。
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