This paper chooses BSIM3 (Berkeley short-channel IGFET model) the model to be extracted, which is for short channel MOS Field Effect transistor specially.

 
  • 本論文選取目前業(yè)界占主流地位的BSIM3(Berkeley short-channel IGFET model)為將要提取的模型,它是專(zhuān)門(mén)為短溝道MOS場(chǎng)效應晶體管而開(kāi)發(fā)的一種模型。
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