This model can be applied to simulate the threshold voltage, current-voltage and C-V characteristics of Si/SiGe-p-MOSFET in LSI simulation.

 
  • 在大規模集成電路設計中該模型可用于模擬預測SiGe-p-MOSFET的閾值電壓、電流-電壓及電容-電壓特性。
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