This calculation is based on the drift-diffusion model that contains charge carrier drift with field dependent mobility, thermionic emission, heterojunction interface and recombination process.

　
英 美
  • 這個(gè)程式的基礎是載子漂移和擴散模型，該模型考慮：（1）與電場(chǎng)相關(guān)的載子遷移率，（2）載子由金屬電極注入有機層或于有機層間遷移，（3）載子在有機層傳輸及復合。
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