This amplifier comprises two low-noise GaAs FET transistors cx50 B mounted on a metallized dielectric plate placed in an enclosure (100X60X40mm3).
英
美
-
該放大器是由兩個(gè)低噪聲砷化鎵場(chǎng)效應晶體管C×50B組成,制作在金屬化了的聚四氟乙烯介質(zhì)板上,并裝在一個(gè)100×60×40mm~3的盒里。
-
国内精品美女A∨在线播放xuan