Thin film of bismuth telluride was formed by alternately depositing Te and Bi via an automated flow deposition(system).

 
  • 采用一個(gè)自動(dòng)式電化學(xué)薄層流沉積系統,通過(guò)交替沉積碲元素和鉍元素制備了碲化鉍薄膜。
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