Therefore, the Dill exposure model and Mack development model are improved, so that they are suitable for the simulation of thick resist lithography.
英
美
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針對厚層抗蝕劑顯影參數隨抗蝕劑厚度變化的特點(diǎn)以及在顯影過(guò)程中出現的表面抑制效應現象,改進(jìn)了原有的顯影模型。 建立了適用于厚層抗蝕劑光刻的成像新模型。
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