The upshift of valence band edge and the downshift of conduction band edge under tensile strain are responsible for that.

 
  • 這是因為外加伸展應力使得矽的價(jià)電帶往上移動(dòng)以及導電帶向下移動(dòng)造成。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan