The structure of parallel combination of resonant tunneling diode(RTD)and high electron mobility transistor(HEMT)is a basic element of recent high speed RTD digital circuit.

 
  • 由共振隧穿二極管(RTD)與高電子遷移率晶體管(HEMT)相并聯(lián)組成的結構是構成當前RTD高速數字電路常用的基本單元。
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