The simulation result shows that complementary ISFET/MOSFET pair can eliminate temperature drift and Si substrate bulk effect, which proves it is a suitable readout circuit for ISFET integration.

 
  • 模擬仿真的結果表明,所采用的ISFET/MOSFET“互補對”結構的信號讀取電路形式能夠抑制“溫漂”和克服“矽襯底體效應”對器件測量靈敏度的影響,是一種適用于ISFET集成設計的信號讀取方式。
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