The simula-tion shows that the expression of threshold voltage for SOI structure,using depletion ap-proximation,is very simple and more accurate.

 
  • 模擬計算還表明;對于薄硅膜的SOI結構;用耗盡層近似推出的閾電壓公式是一個(gè)簡(jiǎn)單和比較準確的公式.
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