英
美
- 采用原子力顯微鏡(AFM)、X射線(xiàn)衍射(XRD)、反射高能電子衍射(RHEED)和X射線(xiàn)光電子能譜(XPS)等表征方法,對碳化層的質(zhì)量和3C-SiC薄膜的結構進(jìn)行了表征。
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