The parametric analysis is studied for the Si/Si1-xGex nano-structure of single and triple gate NMOS.

 
  • 本研究利用有限單元法針對矽/矽鍺異質(zhì)結構及氮化矽應力層發(fā)展數值模擬方法。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan