The interface diffusion phenomena of BTO/Si were systematically studied by Auger electron spectroscopy(AES) and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).

 
  • 通過(guò)俄歇電子能譜(AES),X光電子能譜(XPS)等分析手段系統研究了在Si基片上直接生長(cháng)BTO鐵電薄膜過(guò)程中的界面擴散現象。
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