The integration of chemical vapor deposited organo-silicate glass (OSG) interlayer dielectrics (ILD) has challenged the IC industry to formulate new methods of metrology and characterization.

 
  • 在化學(xué)氣相沉積有機矽酸鹽玻璃交界層介電質(zhì)對積體電路工業(yè)而言形成度量和特性的新方法是具有挑戰性。
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