The influence of chamber pressure,gas flow rate and RF power on micro loading effect in reactive ion etch of silicon dioxide is researched.

 
  • 結果表明,通過(guò)對反應室壓力、刻蝕氣體流量和射頻功率的調節,可以降低微負載效應的影響,得到良好的刻蝕均勻性。
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