The first P-type covering layer (61) which composed of P-type nitride semiconductor containing indium and gallium sets contacting with one side of the active layer.

 
  • 一個(gè)由含鋁和鎵的P型氮化物半導體構成的第一P型覆蓋層(61)被設置與有源層的一個(gè)面接觸。
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