The experimental results indicate:hydrogen decreases the Schottkybarrier height(SBH)of Au/n-Si by0.13eV,the SBH of Schottcky barrier containinghydrogen(SB(H))can be controlled by zero bias annealing(ZBA)and reverse biasannealing(RBA),i.
英
美
- 實(shí)驗結果表明：氫能使Au/n－Si的肖特基勢壘高度下降0.；13eV； 含氫的肖特基勢壘的高度可以被零偏退火與反偏退火所控制，即零偏退火使含氫的肖特基勢壘的高度降低，而反偏退火使含氫的肖特基勢壘的高度升高；
