The device structure of the polymer was ITO /PEDOT/PVK / P3FS/Ba /Al,The external quantum yield of the device reaches 1.99%.

 
  • 其薄膜PL最大發(fā)射峰在516nm;絕對PL效率為86%25;EL峰在542nm;器件結構為ITO/PEDOT/PVK/P3FS/Ba/Al;其EL最大外量子效率達到1.;99%25。
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