The STI-induced mechanical strain enhances the GIDL current including the trap-assisted tunneling (TAT) component at low voltage and the band-to-band tunneling (BBT) component at high voltage.

 
  • 此外并進(jìn)一步研究在二氧化鉿以及氮氧化矽介電層元件中,淺溝槽隔離(STI)所產(chǎn)生之應力對于閘極引發(fā)汲極漏電流之影響。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan