The MOS capacitor with Al 2O 3 dielectric of 3 .45nm equivalent oxide thickness (EOT) is fabricated by reactive sputter.

 
  • 利用反應濺射方法制備了等效氧化層厚度為 3 45nm的Al2 O3柵介質(zhì)MOS電容 ;研究了Al2 O3作為柵介質(zhì)的瞬時(shí)擊穿和恒壓應力下的時(shí)變擊穿等可靠性特征 .
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan