The MBE growth technology, Hall effect and electrochemical C V profiles of InGaAs/GaAs heterostructures are investigated.

 
  • 用分子束外延技術(shù)生長(cháng)了 In Ga As/Ga As異質(zhì)結材料 ,并用 HALL效應法和電化學(xué) C- V分布研究其特性。
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