Temperature-dependent plasma properties at LTE state are employed for thearc region, while the electrode sheaths are treated with a simplified method.

 
  • 為了避免等離子體鞘層中復雜的物理過(guò)程給模擬所帶來(lái)的困難,對陰、陽(yáng)極鞘層分別進(jìn)行了簡(jiǎn)化處理。
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