T he epitaxially lateral overgrowth of GaN on SiO 2 areas is realized and a plana r ELO GaN film is obtained.

 
  • 在SiO2 襯底上側向外延生長(cháng)GaN已經(jīng)實(shí)現 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。
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