Such an increase of indium incorporation is attributed to the pre-strain effect of the low-indium QW on the barrier layer right above it.

 
  • 銦含量增加的原因是由于低銦量子井對上層的位障層造成拉伸應變,而對接下來(lái)成長(cháng)高銦量子井有更好的晶格匹配。
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