Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

 
  • 利用次臨界伏安特性測定由于氧化空穴和界面性能產(chǎn)生的電離輻射感生金屬氧化物半導體場(chǎng)應晶體管臨界電壓偏移分量的試驗方法
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