Recently, a new charge-trapping Flash memory device named bandgap engineered SONOS (BE-SONOS) is proposed to overcome the fundamental limitation of SONOS.

 
  • 最近這幾年一種新的電荷捕捉快閃記憶體元件被提出具有克服傳統SONOS元件應用上限制的能力。該種記憶體元件稱(chēng)作能帶隙工程矽-氧-氮-氧-矽(BE-SONOS)元件。
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