Optimal depositing parameters,IR absorption spectroscopy,variation of optical band gap Eopt with x,ESCA results of the a-SixC1-x:H films propeared by glow discharge deposition of SiH_4 and CH_4 mixture are presented.
英
美
- 本文主要介紹了應用SiH_4+CH_4的輝光放電法制備光電性能優(yōu)良的a-si_xC_(1-x):H薄膜的最佳工藝條件、紅外吸收譜、光隙E_(opt)同x的關(guān)系以及ESCA測量結果。
