On the other hand, the interface trap charges with high-k dielectrics are larger than those with silicon dioxide. We will do our best to solve these problems.

 
  • 另一方面,本材料直接和矽接合時(shí),產(chǎn)生的界面缺陷;比二氧化矽更為嚴重。如何解決這些問(wèn)題,便是我們當前努力的目標.;。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan