Morevoer, using the lifetime of free photoelectrons, the optimal doping amount of shallow electron trap dopants was found by analyzing the distribution condition of electron traps in silver halide.

 
  • 以自由光電子壽命為紐帶,通過(guò)分析摻雜鹵化銀晶體中電子陷阱的分布情況,可以確定淺電子陷阱摻雜劑的最佳摻雜濃度。
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