Microdefects in SI-GaAs single crystal were researched via transmission electron microscope (TEM) and energy dispersion X-ray analysis (EDXA).

　
英 美
  • 利用JEM 2 0 0 2透射電子顯微鏡 (TEM)及其主要附件X射線(xiàn)能量散射譜儀 (EDXA) ,對半絕緣砷化鎵 (SI GaAs)單晶中微缺陷進(jìn)行了研究。
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