It shows that even if using the RF power(13.56 MHz) as the excitation of plasma,the compressive silicon nitride film can be obtained easily.

 
  • 通常認為高頻下制備得到的氮化硅膜呈現張應力;但是通過(guò)實(shí)驗;表明即使應用高頻(13.;56MH z)作為激勵源同樣可以沉積出呈現壓應力的氮化硅薄膜。
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