It is found that the variation of Si radical concentration in the plasma causes the decrease of the film growth rate with the increase of NH3 flow rate.

 
  • 結果表明:隨著(zhù)NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生長(cháng)速率呈下降趨勢,這主要是由于等離子體中的氣相前驅成分之一硅基團濃度的不斷下降所導致的;
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