It is found that the more the stacked layers of Ge QDs are, the higher the degree of Si-Ge intermixing is.

 
  • 我們發(fā)現了隨著(zhù)量子點(diǎn)的堆疊層數愈多,量子點(diǎn)中的矽鍺混合比例會(huì )提高。
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