In this work, one emphasis is put on the nonlinear modeling of LDD MOSFET, wherein the drain current Ids is the key of the MOS equivalent circuit.
英
美
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首先通過(guò)分析總結典型的短溝MOS器件模型的建模原理和適用范圍,建立了適用于深亞微米、超深亞微米LDD NMOSFET的簡(jiǎn)捷器件模型(Compact model)。
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