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- 在八英寸Si（100）襯底上利用Co/Si和Co/Ti/Si固相反應分別制備了多晶和外延CoSi2薄膜，通過(guò)四探針薄層電阻法（FPP）、X射線(xiàn)衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）等手段，研究了CoSi2薄膜的結構、CoSi2薄膜與硅襯底接觸的界面狀況、CoSi2薄膜的外延質(zhì)量、高溫穩定性、以及自對準工藝窗口。
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