In addition, the performance of flash memory with the nanocrystal as the charge trapping layer was also demonstrated.

 
  • 此外,我們利用溶膠-凝膠法形成之奈米微晶粒材料運用于快閃式記憶體元件中作為記憶體元件之電荷捕陷層,并探討其電性表現。
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