High quality GaN film was grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) using porous AAO as mask.

 
  • 采用均勻的多孔陽(yáng)極氧化鋁做掩膜在氫化物氣相外延設備中生長(cháng)出高質(zhì)量的氮化鎵膜。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan