Hence, we deposited 7.5nm and 15nm LT-AlN as buffer layers on two samples, trying to make improvement on lattice quality.

 
  • 因此,我們將兩個(gè)試片分別鍍上7.;5奈米及15奈米厚度的氮化鋁作為緩沖層,看看是否能對于晶體品質(zhì)上有實(shí)質(zhì)上的幫助。
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