Ge nanocrystal memory device can be programmed at a relatively low voltage and high speed.

　
英 美
  • Ge納米晶嵌入高k介質(zhì)中既可以提高器件的可靠性又可以降低寫(xiě)入電壓和提高存儲速度。
今日熱詞
目錄 附錄 查詞歷史
国内精品美女A∨在线播放xuan