Finally, we present the lasing properties of InAs/GaAs QD lasers with InGaP cladding layers grown by solid-source molecular beam epitaxy.

 
  • 最后我們使用固態(tài)分子束磊晶器,以砷化銦/砷化鎵量子點(diǎn)作為活性層,磷化銦鎵作為被覆層制作半導體雷射并量測其特性。
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