Electronic structure analysis shows that the doping S could substantially lower the band gap of TiO_2 by the presence of an impurity state of S3p on the upper edge of valence band.

 
  • 對TiO_(2-x)S_x的電子結構分析表明,其帶隙相對于未摻雜TiO_2有所減小,這是由S3p雜質(zhì)態(tài)在價(jià)帶上邊沿的出現造成的。 可以推斷,由S3p雜質(zhì)態(tài)到導帶的躍遷造成了實(shí)驗觀(guān)測到的S摻雜TiO_2吸收邊沿的紅移。
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