Due to the downscaling of device dimensions in CMOS technology, the metal gate electrodes will be required to replace conventional Poly-silicon gate.

 
  • 摘要傳統多晶硅柵已不能適應CMOS器件尺寸進(jìn)一步減小的要求,因此需要金屬柵極材料來(lái)取代多晶硅。
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