But, MLC NAND type flash memory has two limitations: the data cannot be updated in situ, and the number of erase operations is limited.Besides, the read/write and erase unit size is not the same.

 
  • 但多層式儲存格反及閘快閃記憶體由于半導體物理特性之故,不能原地覆寫(xiě)、單位編成/抹除次數有限,并且單位存取及抹除單位并非相同,所以如何有效管理使用空間是一值得探討議題。
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