Both the effects of oxygen pressure and growth temperature on epitaxial growth of Er2O3 on Si(001) substrates are discussed based on the possible chemical reactions.

　
英 美
  • 基于生長(cháng)過(guò)程中可能的化學(xué)反應，我們對襯底溫度和氧氣分壓給Er2O3單晶薄膜生長(cháng)造成的影響也進(jìn)行了系統的研究。
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